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砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點。此外，還可以用于制作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。
現在，至少已有 3 個大型貴金屬屬精煉廠用萃取法生產 ，其主要工藝是：HCl/Cl 2 溶劑萃取，二丁基卡必醇或甲基異丁基酮萃 Au，Os、Ru 一般采用蒸餾法分離回收，也有的用萃取法分離回收(如用四氯化碳)，硫醚或羥基肟類萃 Pd，磷酸三丁酯或季胺鹽萃 Pt，胺類萃 Ir，留在母液中的 Rh 以沉淀法或離子交換法精制。由于過程連續，易于自動控制，周期大大縮短，回收率和產品純度提高，獲得了很大的技術經濟效益，是貴金屬分離、精煉方法的重大進步。
廢焊渣的處理一般采用直接加熱分離法。這種方法不僅回收率低，而且由于直接進入大氣層的“鉛煙”而受到環境的雙重污染，已被禁止。在本文中，液體覆蓋還原技術，不僅有效地抑制了“鉛煙”的揮發，也會導致錫和鉛的氧化物還原，使廢焊渣的回收率可達90%以上，既保護了環境，又提高了資源的利用效率，并效果理想。
