化合物半導(dǎo)體器件
場景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導(dǎo)體芯片，廣泛應(yīng)用于 5G 通信基站、雷達(dá)、光纖通信等高頻電子設(shè)備。
作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。
薄膜太陽能電池
主流技術(shù)：用于銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽能電池的濺射鍍膜，作為光吸收層（In-Ga-Se 合金）的核心材料。
優(yōu)勢：CIGS 電池的光電轉(zhuǎn)換效率超過 23%，銦靶的純度直接影響電池的開路電壓和填充因子。
功率與溫度管理
濺射功率：
銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過熱導(dǎo)致靶材熔融或飛濺（銦熔點(diǎn)僅 156.6℃，過熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。
直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當(dāng)提高至 5~10 W/cm2。
靶材冷卻：
采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過程中靶材溫度低于 80℃（高溫會導(dǎo)致銦原子擴(kuò)散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。
定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導(dǎo)致靶材變形或脫靶。
小金屬：粗銦，精銦，ito銦靶材，粗稼，金屬鎵99.99以及廢料。高價回收鎳片，銑刀， 數(shù)控刀片， 輕質(zhì)數(shù)控刀，廢合金針，針尖，銦.銦絲.氧化銦.
高價回收鎳片，鎳泥，鎳催化劑，含鎳物料，銑刀， 數(shù)控刀片， 輕質(zhì)數(shù)控刀，廢合金針，針尖，高價 回收 ( 鉭 ) 鉭絲 鉭粉 鉭電容 鉭鈮 鉭鎢 ，銦.銦絲.氧化銦.金.金屬鍺.鍺錠99.999等.
