光伏領(lǐng)域：在薄膜太陽(yáng)能電池中，銦靶材可作為光吸收層形成用的濺射靶，如 Cu-In-Ga-Se 系（CIGS 系）薄膜太陽(yáng)能電池，有助于提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。
集成電路（IC）制造
用途：作為金屬互連層或接觸電極材料，用于芯片內(nèi)部的導(dǎo)電線路、晶體管電極等關(guān)鍵部位。
優(yōu)勢(shì)：銦的低熔點(diǎn)和高延展性使其易于加工成極薄的薄膜，滿足納米級(jí)制程對(duì)材料精度的要求。
化合物半導(dǎo)體器件
場(chǎng)景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導(dǎo)體芯片，廣泛應(yīng)用于 5G 通信基站、雷達(dá)、光纖通信等高頻電子設(shè)備。
作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。
銦靶是現(xiàn)代電子信息、新能源、高端制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的底層關(guān)鍵材料，其應(yīng)用深度和廣度直接反映一個(gè)國(guó)家在半導(dǎo)體、顯示、光伏等領(lǐng)域的技術(shù)水平。由于全球銦資源稀缺（主要伴生于鋅礦），且提純工藝復(fù)雜，銦靶的供應(yīng)鏈已成為各國(guó)關(guān)注的重點(diǎn)。未來(lái)，隨著 5G、AI、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，銦靶的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，同時(shí)推動(dòng)高純銦（99.999% 以上）制備技術(shù)的不斷突破。
