粉末冶金法：通過將銦粉末在高溫下壓制和燒結成型，可有效控制雜質含量，能制造出形狀復雜的靶材，制得的靶材具有較高的致密度和均勻性。
熔煉法：將銦材料加熱至熔點以上，使其成為液態(tài)，然后通過鑄模或其他成型工藝制造靶材，該方法簡單快捷，但控制純度和均勻性相對較難。
光伏領域：在薄膜太陽能電池中，銦靶材可作為光吸收層形成用的濺射靶，如 Cu-In-Ga-Se 系（CIGS 系）薄膜太陽能電池，有助于提高太陽能電池的轉換效率。
存儲環(huán)境控制
溫濕度：存儲于干燥、恒溫環(huán)境（溫度 15~25℃，濕度≤40% RH），避免銦靶吸潮氧化（銦在潮濕空氣中易生成 In?O?薄膜，影響濺射效率）。
防塵防潮：用鋁箔或真空袋密封包裝，存放于潔凈柜中，防止灰塵附著或與其他化學物質接觸。
濺射氣體控制
氣體純度：使用高純氬氣（99.999% 以上），避免氧氣、水汽混入導致銦靶氧化（氧化銦導電性下降，易形成電弧放電）。
氣壓調(diào)節(jié)：
直流濺射（DC）：氣壓通常為 0.1~10 Pa，低氣壓下濺射速率高但薄膜致密度低；高氣壓下薄膜均勻性好但沉積速率慢。
射頻濺射（RF）：適用于絕緣基底，氣壓可略高于直流濺射，需根據(jù)薄膜厚度要求動態(tài)調(diào)整。
