粉末冶金法：通過(guò)將銦粉末在高溫下壓制和燒結(jié)成型，可有效控制雜質(zhì)含量，能制造出形狀復(fù)雜的靶材，制得的靶材具有較高的致密度和均勻性。
熔煉法：將銦材料加熱至熔點(diǎn)以上，使其成為液態(tài)，然后通過(guò)鑄?；蚱渌尚凸に囍圃彀胁?，該方法簡(jiǎn)單快捷，但控制純度和均勻性相對(duì)較難。
光學(xué)領(lǐng)域：用于制造反射率與銀鏡一樣高但不會(huì)褪色的鏡，還可用于制造其他光學(xué)器件，如濾光片、光通信器件等。
其他領(lǐng)域：可用于制造低熔點(diǎn)合金，如 24％銦和 76％鎵的合金在室溫下為液態(tài)，此外，還可用于制造整流器、熱敏電阻和光電導(dǎo)體等電氣組件。
先進(jìn)封裝技術(shù)
應(yīng)用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的電氣連接和熱傳導(dǎo)。
特點(diǎn)：低熔點(diǎn)（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。
濺射時(shí)間與沉積厚度
厚度監(jiān)控：使用石英晶體微天平（QCM）實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜沉積速率，結(jié)合靶材消耗速率（約 0.1~0.5 μm/min，與功率相關(guān)），控制濺射時(shí)間。
靶材利用率：避免過(guò)度濺射導(dǎo)致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 時(shí)需及時(shí)更換），通常平面靶材利用率約 30%~40%，旋轉(zhuǎn)靶可提升至 60% 以上。
