半導體領域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯層與鈍化層沉積，在第三代半導體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。
光伏產業(yè)：占比 15%，應用于薄膜太陽能電池的透明電極，如銅銦鎵硒（CIGS）薄膜電池、光伏異質結電池（HJT）等，隨著這些電池技術的產業(yè)化進程加速，對銦靶的需求也在不斷增加。
純度分級：
4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。
5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導體、光電材料等領域。
物理化學性能
物理性質：
密度：7.31 g/cm3，熔點 156.6℃，沸點 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。
導電性：電導率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。
化學性質：
常溫下在空氣中穩(wěn)定，加熱至 100℃以上會氧化生成 In?O?；可溶于強酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩(wěn)定性較高。
