冷等靜壓法
工藝流程：將混合粉末裝入柔性模具，在室溫下通過高壓（100-300兆帕）壓制成型，隨后在較低溫度下燒結固化。
優(yōu)點：工藝相對簡單，生產成本較低，適合小批量或定制化生產。
缺點：靶材密度和均勻性稍遜，可能在高功率濺射中表現不夠穩(wěn)定。
適用場景：中低端電子產品或實驗室研發(fā)用靶材。
這兩種方法各有千秋，制造商需要根據具體需求權衡成本與性能。
銦靶材主要由金屬銦制成，具有質軟、延展性好和導電性強的特點。作為稀有金屬，銦在自然界的含量稀少，但其獨特的物理和化學性質使其成為眾多高科技產品的核心組件。銦靶材廣泛應用于航空航天、電子工業(yè)等領域，是制造高性能電子元器件的關鍵材料。
氧化銦是一種寬禁帶半導體，具有良好的光學透明性，而氧化錫的引入則增強了材料的導電性。這種成分結構使得ITO材料在保證高透光率的同時也具有低電阻率，兼具光學和電學性能。ITO靶材的這一獨特特性使其成為透明導電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設備和顯示技術。
銦回收的難點在于其“稀”與“散”。一部廢舊手機含銦量不足0.02克，且深嵌于多層結構的液晶面板中，與玻璃、塑料、其他金屬緊密復合。傳統的物理拆解難以分離，濕法冶金（酸/堿浸出）則面臨成分復雜、雜質干擾、易產生二次污染等嚴峻挑戰(zhàn)。
