制備完成后，ITO靶材在實際應用中還會遇到一些問題：
濺射不均勻：如果靶材內部存在微小缺陷或成分偏差，濺射過程中可能出現(xiàn)局部過熱，導致薄膜厚度不一致。
靶材破裂：在高功率濺射時，靶材承受的熱應力可能超出其極限，造成破裂，進而影響生產(chǎn)線的連續(xù)性。
資源限制：ITO靶材依賴銦這種稀有金屬，而銦的全球儲量有限，價格波動較大。這不僅推高了成本，也促使業(yè)界尋找替代方案。
銦靶材主要由金屬銦制成，具有質軟、延展性好和導電性強的特點。作為稀有金屬，銦在自然界的含量稀少，但其獨特的物理和化學性質使其成為眾多高科技產(chǎn)品的核心組件。銦靶材廣泛應用于航空航天、電子工業(yè)等領域，是制造高性能電子元器件的關鍵材料。
氧化銦是一種寬禁帶半導體，具有良好的光學透明性，而氧化錫的引入則增強了材料的導電性。這種成分結構使得ITO材料在保證高透光率的同時也具有低電阻率，兼具光學和電學性能。ITO靶材的這一獨特特性使其成為透明導電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設備和顯示技術。
閉環(huán)之困：損耗與機遇并存
ITO靶材在濺射鍍膜過程中利用率通常僅30%左右，大量含銦廢料（廢舊靶材、邊角料、鍍膜腔室廢料）隨之產(chǎn)生。過去，這些價值的廢料往往被簡單處理或堆積。建立從“廢靶材→再生銦→新靶材”的閉環(huán)體系，成為破解資源約束的黃金路徑。
