核心工藝特點
鍍層材質以銅、鎳、金、錫為主，適配不同電子場景需求。
對鍍層均勻性、厚度精度要求，通常需控制在微米級。
需結合載板材質（如陶瓷、樹脂、硅）定制前處理和電鍍參數(shù)。
主要應用場景
半導體封裝載板：實現(xiàn)芯片與基板的電連接，提升散熱效率。
PCB 高頻載板：增強信號傳輸穩(wěn)定性，降低損耗。
精密電子載板：提高表面耐磨性和抗腐蝕能力，延長使用壽命。
核心工藝要求
鍍層精度：厚度公差需控制在 ±0.1μm 內，鍍層均勻性誤差不超過 5%。
適配細線路需求：針對 IC 載板的微線路（線寬 / 線距＜20μm），需避免鍍層橋連、空洞。
材質兼容性強：需匹配 ABF 膜、BT 樹脂、陶瓷等不同載板基材，不損傷基材性能。
半加成工藝載板電鍍是一種用于制造高精度電子載板的工藝方法，在半導體封裝等領域應用廣泛。以下是關于它的詳細介紹：
工藝原理：半加成法（SAP）的核心是通過 “逐步沉積銅層” 形成電路。先在絕緣基板表面制備超薄導電層，即種子層，再通過光刻技術定義線路圖形，對圖形區(qū)域電鍍加厚銅層，去除多余部分后形成完整電路。改良型半加成法（mSAP）則是在基板上預先貼合 3-9μm 的超薄低輪廓銅箔作為基銅，再進行后續(xù)操作。
工藝流程
基材準備：使用表面平整的超薄銅箔基板或無銅基材，如 1-2μm 厚銅層的基板或 ABF 薄膜等。
化學沉銅：通過化學沉積在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄銅層，作為導電基底，即種子層。
圖形電鍍銅：對露出的種子層區(qū)域進行電鍍加厚，使線路達到設計厚度，通常至 5-15μm，形成導線主體。
去膠與蝕刻：移除光刻膠或干膜，然后蝕刻掉未被電鍍覆蓋的薄種子層銅，由于種子層厚度極薄，蝕刻側蝕極小。
表面處理：進行沉金、OSP、沉錫等表面處理，以滿足后續(xù)封裝和焊接等工藝的要求。
