核心工藝要求
鍍層精度：厚度公差需控制在 ±0.1μm 內(nèi)，鍍層均勻性誤差不超過(guò) 5%。
適配細(xì)線路需求：針對(duì) IC 載板的微線路（線寬 / 線距＜20μm），需避免鍍層橋連、空洞。
材質(zhì)兼容性強(qiáng)：需匹配 ABF 膜、BT 樹脂、陶瓷等不同載板基材，不損傷基材性能。
主流鍍層類型及用途
銅鍍層：核心導(dǎo)電層，用于線路互聯(lián)，厚度通常 1-5μm，要求高導(dǎo)電性和附著力。
鎳鍍層：中間阻擋層，防止銅擴(kuò)散，厚度 0.5-2μm，提升后續(xù)鍍層結(jié)合力。
金鍍層：表面焊接 / 鍵合層，用于芯片鍵合或引腳焊接，厚度 0.1-1μm，分硬金（耐磨）、軟金（易鍵合）。
錫鍍層：低成本焊接層，替代部分金鍍層，厚度 1-3μm，要求無(wú)針孔、可焊性好。
通訊載板電鍍加工工藝特點(diǎn)
高精度要求：通訊載板通常需要處理超細(xì)線路，線寬 / 焊盤尺寸常小于 20μm，鍍層厚度偏差需控制在 ±10% 以內(nèi)，部分場(chǎng)景甚至要求≤±8%，以保證信號(hào)的穩(wěn)定傳輸。
高可靠性：通訊設(shè)備需要在各種環(huán)境下穩(wěn)定工作，因此通訊載板電鍍層需具備良好的附著力，如銅鍍層附著力≥0.8N/mm，同時(shí)要通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的濕熱試驗(yàn)、鹽霧試驗(yàn)等可靠性測(cè)試，以確保在惡劣環(huán)境下不出現(xiàn)鍍層脫落、腐蝕等問題。
高頻性能優(yōu)化：為滿足通訊領(lǐng)域高頻信號(hào)傳輸?shù)男枨螅婂児に囆柰ㄟ^(guò)脈沖電鍍等技術(shù)控制銅晶粒取向，降低信號(hào)傳輸損耗，如在 5G 基站射頻板中，可降低 10GHz 毫米波傳輸損耗。
半加成工藝載板電鍍是一種用于制造高精度電子載板的工藝方法，在半導(dǎo)體封裝等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。以下是關(guān)于它的詳細(xì)介紹：
工藝原理：半加成法（SAP）的核心是通過(guò) “逐步沉積銅層” 形成電路。先在絕緣基板表面制備超薄導(dǎo)電層，即種子層，再通過(guò)光刻技術(shù)定義線路圖形，對(duì)圖形區(qū)域電鍍加厚銅層，去除多余部分后形成完整電路。改良型半加成法（mSAP）則是在基板上預(yù)先貼合 3-9μm 的超薄低輪廓銅箔作為基銅，再進(jìn)行后續(xù)操作。
工藝流程
基材準(zhǔn)備：使用表面平整的超薄銅箔基板或無(wú)銅基材，如 1-2μm 厚銅層的基板或 ABF 薄膜等。
化學(xué)沉銅：通過(guò)化學(xué)沉積在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄銅層，作為導(dǎo)電基底，即種子層。
圖形電鍍銅：對(duì)露出的種子層區(qū)域進(jìn)行電鍍加厚，使線路達(dá)到設(shè)計(jì)厚度，通常至 5-15μm，形成導(dǎo)線主體。
去膠與蝕刻：移除光刻膠或干膜，然后蝕刻掉未被電鍍覆蓋的薄種子層銅，由于種子層厚度極薄，蝕刻側(cè)蝕極小。
表面處理：進(jìn)行沉金、OSP、沉錫等表面處理，以滿足后續(xù)封裝和焊接等工藝的要求。
