低信號(hào)損耗：利用銀等低電阻率金屬作為鍍層材料，在高頻趨膚效應(yīng)下，降低信號(hào)傳輸損耗。如沉銀工藝在 10GHz 信號(hào)下，插入損耗僅為 0.18dB / 厘米。
種子層沉積：構(gòu)建導(dǎo)電基底
采用物相沉積（PVD）或化學(xué)鍍，在絕緣基材表面沉積超薄導(dǎo)電層（銅或鎳）。
種子層厚度控制在 0.1-0.5μm，要求覆蓋均勻、無針孔，為后續(xù)圖形電鍍提供穩(wěn)定導(dǎo)電通道。
沉積后需做簡易附著力檢測(cè)，避免種子層脫落影響后續(xù)工藝。
圖形轉(zhuǎn)移：定義線路與鍍層區(qū)域
涂布高精度光刻膠 / 干膜，通過曝光、顯影工藝，將線路圖形轉(zhuǎn)移到基材表面。
高頻高速板對(duì)圖形精度要求，需控制線寬 / 線距偏差≤±1μm，避免開窗偏移導(dǎo)致鍍層錯(cuò)位。
顯影后進(jìn)行檢查修正，去除殘留膠渣，確保線路區(qū)域完全裸露、非線路區(qū)域被保護(hù)。
去膠與蝕刻：剝離多余金屬
用化學(xué)脫膠劑或等離子體去除表面光刻膠 / 干膜，露出下方未被電鍍覆蓋的種子層。
采用微蝕工藝，蝕刻掉多余種子層，僅保留電鍍形成的功能線路，控制側(cè)蝕量≤0.5μm。
蝕刻后徹底水洗，避免殘留藥劑腐蝕鍍層或基材。
