工藝適配相關故障
線路橋連 / 短路：超細線路（≤10μm 線寬）間出現(xiàn)鍍層粘連，多因光刻膠顯影不徹底、電鍍時金屬離子過度沉積，或鍍液整平性差。
盲孔 / 埋孔填充不良：孔內(nèi)出現(xiàn)空洞、凹陷，影響層間導通和散熱。成因是鍍液流動性不足、電流密度未針對深寬比優(yōu)化，或添加劑中整平劑含量不足。
基材損傷：特殊基材（如 PTFE）出現(xiàn)翹曲、開裂，多因電鍍溫度過高（超過基材耐熱極限），或前處理化學藥劑腐蝕基材表面。
種子層沉積：構(gòu)建導電基底
采用物相沉積（PVD）或化學鍍，在絕緣基材表面沉積超薄導電層（銅或鎳）。
種子層厚度控制在 0.1-0.5μm，要求覆蓋均勻、無針孔，為后續(xù)圖形電鍍提供穩(wěn)定導電通道。
沉積后需做簡易附著力檢測，避免種子層脫落影響后續(xù)工藝。
去膠與蝕刻：剝離多余金屬
用化學脫膠劑或等離子體去除表面光刻膠 / 干膜，露出下方未被電鍍覆蓋的種子層。
采用微蝕工藝，蝕刻掉多余種子層，僅保留電鍍形成的功能線路，控制側(cè)蝕量≤0.5μm。
蝕刻后徹底水洗，避免殘留藥劑腐蝕鍍層或基材。
表面處理：提升可靠性與兼容性
非關鍵區(qū)域可做沉銀、OSP 或沉錫處理，提升可焊性與抗氧化能力。
關鍵高頻區(qū)域需保持金 / 銀鍍層潔凈，可涂覆超薄有機防氧化劑，避免氧化導致信號損耗增大。
處理后需控制表面粗糙度 Ra<0.5μm，減少高頻信號散射。
