IC 載板電鍍加工是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的核心工藝，專為 IC 載板（如 ABF 載板、BT 載板）沉積高精度金屬鍍層，核心作用是實(shí)現(xiàn)芯片與基板的可靠電連接、提升散熱與抗腐蝕性能。
核心工藝要求
鍍層精度：厚度公差需控制在 ±0.1μm 內(nèi)，鍍層均勻性誤差不超過 5%。
適配細(xì)線路需求：針對 IC 載板的微線路（線寬 / 線距＜20μm），需避免鍍層橋連、空洞。
材質(zhì)兼容性強(qiáng)：需匹配 ABF 膜、BT 樹脂、陶瓷等不同載板基材，不損傷基材性能。
面板級加工：扇出型封裝常采用面板級封裝（FOPLP）方式，如盛美上海的 Ultra ECP ap-p 面板級電鍍設(shè)備可加工尺寸高達(dá) 515x510 毫米的面板，相比傳統(tǒng)晶圓級封裝，能提高生產(chǎn)效率，降低成本。
高精度要求：需滿足高密度互連（HDI）、超細(xì)線路 / 焊盤（線寬 / 線距常＜20μm）的要求，對鍍層均勻性、致密度、附著力、純度等方面要求，例如銅鍍層孔隙率需≤1 個 /cm2。
復(fù)雜結(jié)構(gòu)處理：對于埋入式扇出型封裝結(jié)構(gòu)，可能存在深寬比較大的通孔，電鍍時需要特殊工藝處理，以避免產(chǎn)生空洞等缺陷。
工藝流程
前處理：包括對載板進(jìn)行開槽、打通孔等操作，然后將載板貼在承載膠上，植入芯片和金屬塊，進(jìn)行次塑封，形成塑封層；之后拆除承載膠，對一次塑封件另一面進(jìn)行第二次塑封，形成第二塑封層。
電鍍準(zhǔn)備：在塑封層和第二塑封層上打盲孔，以露出芯片的 IO 接口和金屬塊，然后對盲孔進(jìn)行真空濺射，并在二次塑封件的上、下兩面建立種子層。
電鍍沉積：通過電解或化學(xué)沉積方式，讓金屬離子在載板表面沉積形成所需的鍍層，如銅、鎳、金、錫等鍍層，在電鍍過程中需要控制電場、電鍍液成分、溫度、電流密度等參數(shù)，以確保鍍層的質(zhì)量和性能。
后處理：電鍍完成后，進(jìn)行清洗、烘干等操作，去除表面殘留的電鍍液和雜質(zhì)，然后對鍍層進(jìn)行檢測，如檢測鍍層厚度、附著力、孔隙率等，確保產(chǎn)品質(zhì)量符合要求。
